Samsung, importanti novità in arrivo dalle fonderie: appuntamento a giugno

Le fonderie di Samsung sveleranno presto importanti novità sui loro processi produttivi più evoluti: nel corso della conferenza annuale VLSI Symposium 2023, che si terrà tra l’11 e il 16 di giugno, il colosso sudcoreano illustrerà nel dettaglio il nodo a 4 nm di quarta generazione e quello a 3 nm di seconda. Come sappiamo, Samsung ha sostanzialmente perso la sfida dei 4 nm nei confronti di TSMC: il processo dell’azienda taiwanese era molto più rifinito, efficiente e affidabile - sia dal punto di vista dal tasso di rendimento sia da quello qualitativo del prodotto finito. Perfino Qualcomm è fuggita dopo uno Snapdragon 8 Gen 1 decisamente deludente, affidando a TSMC la produzione del refresh di metà carriera.

Ma benché si guardi ormai già ai 3 nm come tecnologia più raffinata in assoluto, destinata ai prodotti più prestigiosi (in generale i SoC ARM mobile e non, per esempio per iPhone, iPad, Mac, smartphone Android e così via), i 4 nm saranno rilevanti ancora per diverso tempo, non solo grazie ai chip meno avanzati (prendiamo per esempio gli Snapdragon 7) ma anche ad altre categorie di prodotto che hanno volumi produttivi non sufficienti da occupare la “prima scelta” (un esempio su tutti: le GPU).

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Il nodo SF3 (3 nm di 2° generazione) userà la tecnologia GAP e rappresenterà un passo avanti rispetto al processo di prima generazione (SF3E) in funzione dalla seconda metà del 2022. Per ora non ci sono informazioni che quantificano i miglioramenti tra l’una e l’altra generazione. Samsung dice che SF3 sarà del 22% più veloce a parità stessi consumi o del 34% più efficiente a parità di clock e conta transistor rispetto a SF4, mentre l’area del die dovrebbe ridursi del 21%.

Generalmente Samsung non usa in modo molto diffuso i suoi nodi di prima generazione: preferisce tenerli per piccoli ordini e progetti specializzati, in modo tale da condurre una sorta di “test drive” prima della produzione in massa vera e propria per i clienti più grossi. Ci aspettiamo che Samsung cercherà di accaparrarsi clienti per SF3 con l’obiettivo di portare sul mercato i chip flagship del 2025, quindi (nomi naturalmente provvisori) con Snapdragon 8 Gen 4, Exynos 2500 e magari qualche altro.

Il nodo a 4 nm di quarta generazione si chiamerà invece SF4X, e secondo AnandTech sarà realizzato apposta per i chip HPC (High Performance Computing), quindi prevalentemente CPU e GPU per il mondo server/datacenter. Si prevede un miglioramento prestazionale del 10% ed energetico del 23% rispetto al nodo SF4 di seconda generazione.