Samsung, primi test di produzione in massa sui 3 nm imminenti

Samsung potrebbe iniziare a testare la produzione in massa su nodo di prossima generazione a 3 nm già questa settimana, stando alla testata tecnologica sudcoreana The Elec. La notizia giunge a poche ore appena dalla presentazione da parte di Arm dei nuovi design delle CPU e GPU dei SoC mobile per il 2023, che verosimilmente saranno tra i primi prodotti a essere fabbricati in larga scala. Non i primi in assoluto, però: a quanto pare il primo cliente sarà una società cinese, chiamata PanSemi, che si occupa di realizzare hardware per l'estrazione di bitcoin.

Il processo implementerà la tecnologia GAA (Gate-All-Around) FET (Field Effect Transistor): sostanzialmente, il materiale isolante per la corrente è distribuito su quattro lati del semiconduttore in silicio, mentre nel precedente FinFET era su tre lati. Indiscrezioni risalenti a un paio di mesi fa dicevano che Samsung avesse problemi di resa addirittura inferiore rispetto al processo a 4 nm, che era già molto basso - 35% contro il 70% di TSMC (uno dei motivi principali per cui Qualcomm sarebbe passata da Samsung a TSMC per Snapdragon 8 Plus Gen 1).

Economia e mercato 29 Apr

La fonte non fornisce indicazioni sull'eventuale risoluzione di questi problemi da parte di Samsung, ma aggiunge un dettaglio interessante: dopo il passaggio a TSMC, Qualcomm non ha tagliato completamente i ponti. Anzi, avrebbe già opzionato un po' di ordini, giusto in caso TSMC avesse problemi. I due colossi sarebbero addirittura rimasti d'accordo che Qualcomm potrà valutare e visionare l'andamento degli impianti quando vorrà. Per contesto, è bene ricordare che in passato Qualcomm era passata da TSMC a Samsung per problemi analoghi - anzi, chi c'era e ricorda l'infinita serie di meme e battute sui "bollenti spiriti" di Snapdragon 810 potrebbe argomentare che all'epoca la situazione fu ancora più grave.

Sarà comunque interessante osservare cosa combinerà TSMC. Il colosso taiwanese prevede di inaugurare il suo processo a 3 nm, chiamato semplicemente N3, entro la fine del 2022, quindi con apparente svantaggio cronologico rispetto a Samsung. Tra l'altro, non dovrebbe implementare a sua volta il metodo GAA, ma evolverà ulteriormente l'ormai rodato FinFET: la tecnologia si chiamerà FinFlex, in cui saranno disponibili diverse configurazioni di transistor per meglio soddisfare le esigenze specifiche di ogni implementazione.